光刻中曝光条件设置方法

摘要

本发明提供一种光刻中曝光条件设置方法，属于半导体光刻技术领域。该曝光条件设置方法应用于第一工艺平台下初次使用的光刻版的第一次光刻过程中，在设置过程中，至少根据光刻版的供应商信息而对应设置曝光条件中的初始曝光能量。因此，避免了第一次光刻过程中未考虑光刻版的供应商差异因素导致的晶片的CD超出特定的工艺规范的问题，提高了第一次光刻的成品率，也大大降低了光刻的返工率。

主权项

一种曝光条件设置方法，用于第一工艺平台下初次使用的光刻版的第一次光刻过程中，其特征在于，至少根据该光刻版的供应商信息而对应设置所述曝光条件中的初始曝光能量；其中，在第一次光刻的过程中，还根据该光刻版的供应商信息而对应设置所述曝光条件中的初始套刻参数。