Leistungshalbleiterbauelemente mit einer Driftstrecke und einer hochdielektrischen Kompensationszone und Verfahren zur Herstellung einer Kompensationszone

摘要

Leistungshalbleiterbauelement, das aufweist: einen Halbleiterkörper (100) mit einer Driftzone (11) eines ersten Leitungstyps, einen Bauelementübergang zwischen der Driftzone (11) und einer weiteren Bauelementzone (12, 41), die derart ausgestaltet ist, dass sich bei Anlegen einer Sperrspannung an den Bauelementübergang eine Raumladungszone in einer ersten Richtung in der Driftzone (11) ausbildet, eine Kompensationszone (30), die in einer zweiten Richtung benachbart zu der Driftzone (11) angeordnet ist und die ein hochdielektrisches Material mit einer temperaturabhängigen Dielektrizitätskonstante aufweist, dessen Temperaturabhängigkeit in der zweiten Richtung variiert, wobei das hochdielektrische Material ein Verbundmaterial ist, dessen Zusammensetzung sich in der zweiten Richtung kontinuierlich ändert.