发明名称 低损耗交流电子开关电路
摘要 本发明涉及同一构思、二种不同电路的低损耗交流电子开关电路,两个VMOS功率场效应管V1和V2是按相反工作电流方向串联连接在交流回路中。优点:只要被控制的交流电流足够小,或者N沟道电阻足够小,那么通态压降可以作到远小于0.7V以下,可以使得开关损耗降到最低限度,这是目前现有任何固态交流电子开关都无可比拟的最大优点。
申请公布号 CN101442303B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN200810163939.4 申请日期 2008.12.27
申请人 夏小勇 发明人 夏小勇
分类号 H03K17/687(2006.01)I 主分类号 H03K17/687(2006.01)I
代理机构 杭州中平专利事务所有限公司 33202 代理人 翟中平
主权项 一种由低损耗交流电子开关电路构成的单相交流接触器,其特征是:单片机至少有三个输入端口P3.1、P3.2、P3.3分别用于连接由电流互感器L、电阻R1、电阻R2、稳压二极管Z1构成的交流电流过零检测电路;由电源变压器T、二极管D1、二极管D2、电阻R4、电阻R5、三极管V3构成的交流电压过零检测电路;由电阻R7、光偶器G构成的控制信号输入电路;单片机至少有一个输出端P1.2用于连接两个VMOS功率场效应管V1和V2的栅极;由变压器T、二极管D1、二极管D2、电阻R6、稳压二极管Z2、电容E 构成工作电源电路,电源变压器初级线圈并联连接在交流接触器的输入端子,速饱和电流互感器L的原边与两个VMOS 功率场效应管的漏极、源极共同串联在交流主控回路的输入与输出端子之间。
地址 311100 浙江省杭州市余杭区临平顺昌花苑6幢2单元704室