| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种通过使用反向掺杂提高击穿电压的半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括衬底、反向掺杂区和肖特基势垒二极管(SBD)。击穿电压可以通过降低该区上杂质的浓度以及增强包括SBD的半导体器件的特性而提高。 | ||
| 申请公布号 | CN104617141A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410366838.2 | 申请日期 | 2014.07.29 |
| 申请人 | 美格纳半导体有限公司 | 发明人 | 李容源;韩振宇;黄大元;金庆旭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 顾晋伟;郑斌 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有某一浓度的衬底；具有另一浓度的反向掺杂区；以及包括所述反向掺杂区的肖特基势垒二极管(SBD)。 | ||
| 地址 | 韩国忠清北道 | ||