发明名称 |
调整射频放大器线性度的电路设计 |
摘要 |
本发明的调整射频放大器线性度的电路设计,包括:主放大晶体管、其栅极连接第一节点,漏极连接第二节点,源极连接第三节点;补偿电路,所述补偿电路包括:第一PMOS晶体管,其源极连接第四节点,漏极连接所述第二节点,栅极与所述第一节点之间串联第一电容,其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻;第一NMOS晶体管,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述第二节点,其栅极与所述第一节点之间串联第二电容,其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻;其中,所述第一节点并联连接射频输入端和第一偏置电位,所述第三节点通过第一电感接地。本发明中,可以对主放大晶体管的饱和区和线性区的三阶跨导进行补偿,从而改善射频放大器的大小信号的线性度。 |
申请公布号 |
CN104617890A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201510052257.6 |
申请日期 |
2015.01.31 |
申请人 |
上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
戴若凡 |
分类号 |
H03F1/32(2006.01)I |
主分类号 |
H03F1/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种调整射频放大器线性度的电路设计,其特征在于,包括:主放大晶体管,其栅极连接第一节点,漏极连接第二节点,源极连接第三节点;第一补偿电路,所述第一补偿电路包括:第一PMOS晶体管,其源极连接第四节点,漏极连接所述第二节点,栅极与所述第一节点之间串联第一电容,其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻;第一NMOS晶体管,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述第二节点,其栅极与所述第一节点之间串联第二电容,其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻;其中,所述第一节点处并联连接射频输入端和第一偏置电位,所述第三节点通过第一电感接地。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 |