发明名称 调整射频放大器线性度的电路设计
摘要 本发明的调整射频放大器线性度的电路设计,包括:主放大晶体管、其栅极连接第一节点,漏极连接第二节点,源极连接第三节点;补偿电路,所述补偿电路包括:第一PMOS晶体管,其源极连接第四节点,漏极连接所述第二节点,栅极与所述第一节点之间串联第一电容,其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻;第一NMOS晶体管,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述第二节点,其栅极与所述第一节点之间串联第二电容,其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻;其中,所述第一节点并联连接射频输入端和第一偏置电位,所述第三节点通过第一电感接地。本发明中,可以对主放大晶体管的饱和区和线性区的三阶跨导进行补偿,从而改善射频放大器的大小信号的线性度。
申请公布号 CN104617890A 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201510052257.6 申请日期 2015.01.31
申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司 发明人 戴若凡
分类号 H03F1/32(2006.01)I 主分类号 H03F1/32(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 郑玮
主权项 一种调整射频放大器线性度的电路设计,其特征在于,包括:主放大晶体管,其栅极连接第一节点,漏极连接第二节点,源极连接第三节点;第一补偿电路,所述第一补偿电路包括:第一PMOS晶体管,其源极连接第四节点,漏极连接所述第二节点,栅极与所述第一节点之间串联第一电容,其栅极与所述第一电容之间并联第一电阻;第一NMOS晶体管,其源极连接所述第三节点,其漏极连接所述第二节点,其栅极与所述第一节点之间串联第二电容,其栅极与所述第二电容之间并联第二电阻;其中,所述第一节点处并联连接射频输入端和第一偏置电位,所述第三节点通过第一电感接地。
地址 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号