| 发明名称 | 氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化镓基发光器件的电极体系及其制作方法，其中氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为<img file="DDA0000655483670000011.GIF" wi="176" he="67" />的金属氧化物导电薄膜；一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。本发明可以增加透射率，提高发光器件的发光效率。 | ||
| 申请公布号 | CN104617202A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510017329.3 | 申请日期 | 2015.01.13 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 郭金霞;王良臣;梁萌;王莉;黄亚军;伊晓燕;刘志强 |
| 分类号 | H01L33/38(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种氮化镓基发光器件，包括：一透明衬底；一第一半导体层，一有源层和一第二半导体层，所述第一半导体层与第二半导体层的导电类型相反；一P型接触层，位于空穴为多数载流子的第一半导体层或第二半导体层的表面，其为<img file="FDA0000655483640000011.GIF" wi="171" he="77" />的金属氧化物导电薄膜；一Ag或Al的反射镜，位于p型接触层上，所述Ag或Al的反射镜与p型接触层直接接触；一P电极焊盘，在Ag或Al的反射镜上，由多层金属组成，多层金属包含金属扩散阻挡层和焊接层。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||