一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法

摘要

一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器及其制作方法，属于传感器领域，本发明为解决现有硅微谐振式压力传感器制作技术存在的问题。本发明包括下层硅片和上层硅片，下层硅片和上层硅片通过BCB胶键合；下层硅片上设置有谐振梁、压力敏感膜片、下层激励电极、压敏电阻和下层引线焊盘；谐振梁的上表面设置有下层激励电极和压敏电阻，下层激励电极和压敏电阻的引线均通过下层引线焊盘引出；压力敏感膜片设置在谐振梁所在谐振腔的底部；上层硅片上设置有上层引线焊盘和上层激励电极；上层激励电极设置在上层硅片下表面的凹槽内；上层激励电极的引线通过上层引线焊盘引出；下层硅片选用N型（111）硅片；上层硅片N型（100）硅片。

主权项

一种静电激励/压阻检测硅微谐振式压力传感器，其特征在于，它包括下层硅片(1)和上层硅片(2)，下层硅片(1)和上层硅片(2)通过BCB胶键合为一个整体；下层硅片(1)上设置有谐振梁(1‑1)、压力敏感膜片(1‑2)、下层激励电极(1‑3)、压敏电阻(1‑4)和下层引线焊盘(1‑5)；谐振梁(1‑1)的上表面设置有下层激励电极(1‑3)和压敏电阻(1‑4)，下层激励电极(1‑3)和压敏电阻(1‑4)的引线均通过下层引线焊盘(1‑5)引出；压力敏感膜片(1‑2)设置在谐振梁(1‑1)所在谐振腔的底部；上层硅片(2)上设置有上层引线焊盘(2‑1)和上层激励电极(2‑2)；上层激励电极(2‑2)设置在上层硅片(2)下表面的凹槽内；上层激励电极(2‑2)的引线通过上层引线焊盘(2‑1)引出；下层引线焊盘(1‑5)和上层引线焊盘(2‑1)暴露接触外界；上层硅片(2)下表面的凹槽与谐振梁(1‑1)所在谐振腔形成密闭空间，下层激励电极(1‑3)与上层激励电极(2‑2)的位置相对设置；下层硅片(1)选用N型(111)硅片；上层硅片(2)选用N型(100)硅片。