一种快恢复二极管的制备方法

摘要

本发明提供了一种快恢复二极管的制备方法，该方法采用SOI基材替代传统外延片，采用平面制造工艺，与传统的快恢复二极管兼容，并且该方法采用SOI基材中的二氧化硅及上层硅作为场氧和场板，由于SOI基材中的二氧化硅是利用绝对纯净的氧原子注入形成，二氧化硅纯度高，且与下层的硅晶体接触好，能很好的减小快恢复二极管表面污染，减少表面电荷的形成，从而减少表面的漏电，提高快恢复二极管的电学特性和成品率；本发明采用SOI基材替代传统的外延片，减少了快恢复二极管制造步骤，改善了场氧及多晶硅场板质量，大大降低了氧化层界面电荷，提高了工艺一致性。

主权项

一种快恢复二极管的制备方法，其特征在于包括如下步骤：(1)、采用SOI外延片作为基材，所述SOI外延片由下向上依次为N型重掺杂层(6)、N型外延层(5)、SOI中间层(7)和上层硅场板(8)，其中，所述SOI中间层的材料为二氧化硅；(2)、在步骤(1)选取的基材上，依次对所述上层硅场板(8)和SOI中间层(7)进行光刻腐蚀，分别形成主结区和终端场板分压区；(3)、在步骤(2)得到的具备主结区和终端场板分压区的SOI外延片的表面，涂抹光感胶，按照设定的主结区和终端场板分压区的图形进行曝光处理，采用丙酮溶液冲洗对已曝光部分进行冲洗，并对所述SOI外延片的表面分别进行离子注入和铂注入，并进行高温退火，在所述主结区和终端场板分压区内形成PN结；(4)、采用金属化连接工艺，对步骤(3)处理后的SOI外延片中的PN结的正面和背面进行金属连接，即采用金属电极(4)分别对PN结的正面和背面进行连接，得到具备金属电极(4)的快恢复二极管。