发明名称 |
一种纳米线及阵列的形成方法 |
摘要 |
本发明提供一种纳米线的形成方法,包括步骤:提供半导体衬底,所述衬底上具有硬掩膜;刻蚀步骤与钝化步骤交替进行,以形成糖葫芦形貌,其中,钝化步骤包括:进行氧化,以形成钝化层;去除半导体衬底表面的钝化层;而后,氧化糖葫芦形貌并进行释放,以形成纳米线。本发明中,进行钝化步骤,以在每次刻蚀完成后,在已形成的糖葫芦形貌的侧壁上形成钝化层,这样,在下一刻蚀周期保护已形成的糖葫芦形貌的侧壁,并减少聚合物的产生,工艺造价低且简单易行。 |
申请公布号 |
CN104609360A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201310542253.7 |
申请日期 |
2013.11.05 |
申请人 |
中国科学院微电子研究所 |
发明人 |
洪培真;马小龙;殷华湘;徐秋霞;李俊峰;赵超 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京维澳专利代理有限公司 11252 |
代理人 |
王立民;吉海莲 |
主权项 |
一种纳米线的形成方法,其特征在于,包括步骤:提供半导体衬底,所述衬底上具有硬掩膜;刻蚀步骤与钝化步骤交替进行,以形成糖葫芦形貌,其中,钝化步骤包括:进行氧化,以形成钝化层;去除半导体衬底表面的钝化层;氧化糖葫芦形貌并进行释放,以形成纳米线。 |
地址 |
100029 北京市朝阳区北土城西路3号 |