发明名称 |
半导体装置 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:个体芯片指定码设置模块,被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码,所述多个个体芯片指定码具有不同的编码值,或者所述多个个体芯片指定码中的至少两个具有相同的编码值;个体芯片激活模块,被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号来将所述多个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较,并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个激活。 |
申请公布号 |
CN102208211B |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201010267763.4 |
申请日期 |
2010.08.31 |
申请人 |
海力士半导体有限公司 |
发明人 |
高在范;边相镇 |
分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
主分类号 |
G11C17/16(2006.01)I |
代理机构 |
北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 |
代理人 |
郭放;黄启行 |
主权项 |
一种半导体装置,包括:个体芯片指定码设置模块,所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于多个芯片熔丝信号来产生多个个体芯片指定码,所述多个个体芯片指定码具有不同的编码值,或者所述多个个体芯片指定码中的至少两个具有相同的编码值;个体芯片激活模块,所述个体芯片激活模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号来将所述多个个体芯片指定码与芯片选择地址进行比较,并基于比较结果将多个个体芯片激活信号中的一个激活,其中,所述个体芯片指定码设置模块被配置为当所述多个芯片熔丝信号全部被使能时,产生具有不同编码值的所述多个个体芯片指定码,以及所述个体芯片指定码设置模块被配置为响应于所述多个芯片熔丝信号中被禁止的芯片熔丝信号,确定具有相同编码值的个体芯片指定码的数量。 |
地址 |
韩国京畿道 |