一种通孔刻蚀方法

摘要

本发明提出一种通孔刻蚀方法，该方法通过两次刻蚀形成通孔，首先由第一刻蚀在有源区的源极和漏极上方制作第一通孔，接着在第一通孔露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；然后由第二刻蚀在金属栅极上方制作第二通孔，从而避免金属栅极表面沉积金属硅化物，形成难以去除的合金，以及湿法刻蚀金属硅化物造成的金属栅极表面损伤。

主权项

一种通孔刻蚀方法，提供具有硅衬底的晶片，所述硅衬底表面具有金属栅极，所述金属栅极两侧的硅衬底中具有源极和漏极，在所述晶片的器件面沉积层间介质层后，其特征在于，该方法还包括：在所述层间介质层上涂覆第一光刻胶，第一光刻后在源极和漏极上方形成定义第一通孔的第一光刻图案；以所述第一光刻图案为掩膜，第一刻蚀所述层间介质层，露出所述源极和所述漏极，形成第一通孔；在所述第一通孔中露出的源极和漏极表面沉积金属硅化物；用底部抗反射涂层或者光刻胶填充所述第一通孔后，在所述晶片的器件面涂覆第二光刻胶，第二光刻后在金属栅极上方形成定义第二通孔的第二光刻图案；以所述第二光刻图案为掩膜，第二刻蚀所述层间介质层，露出金属栅极，形成第二通孔；去除所述第一通孔中的底部抗反射涂层或者光刻胶和残留的第二光刻图案。