一种半导体激光器以及窄带高反射率薄膜

摘要

本发明公开了一种半导体激光器以及窄带高反射率薄膜。该半导体激光器的后腔面设置有窄带高反射率薄膜，其中窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80%的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm。通过上述方式，本发明能够抑制半导体激光器的波长变化，能够控制半导体激光器波长变化在5nm范围以内，避免使用复杂的温度控制系统。

主权项

一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器的后腔面设置有窄带高反射率薄膜，其中所述窄带高反射率薄膜的反射光谱在目标波长的长波长方向和短波长方向两侧设置有反射率大于80％的高反射率区域，且所述高反射率区域的宽度小于或等于5nm，其中，所述窄带高反射率薄膜的反射率在所述高反射率区域的长波长方向和短波长方向的5nm至20nm范围内下降至50％以下。