发明名称 阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置
摘要 本发明实施例提供阵列基板及阵列基板上扇出导线的制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够减小阵列基板的扇出线路的线间距,制备出满足窄边框技术要求的阵列基板。本发明的阵列基板包括:基板;设置于基板上的栅绝缘层;设置于栅绝缘层上的扇出线路,扇出线路包括多条扇出导线,扇出导线包括设置于栅绝缘层上的非晶硅层、欧姆接触层以及源漏极层,扇出导线是通过在源漏极层上形成第一光刻胶,并对第一光刻胶进行半曝光显影工艺后,对非晶硅层、欧姆接触层、源漏极层、第一光刻胶采用刻蚀工艺,然后剥离第一光刻胶,形成第二光刻胶,对第二光刻胶进行全曝光显影工艺,以及对非晶硅层采用刻蚀工艺所形成的。
申请公布号 CN102945854B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201210454642.X 申请日期 2012.11.13
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 白金超;孙亮;丁向前;李梁梁;刘耀
分类号 H01L27/32(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I;G02F1/1333(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人 申健
主权项 一种阵列基板,其特征在于,包括:基板;设置于所述基板上的栅绝缘层;设置于所述栅绝缘层上的扇出线路,所述扇出线路包括多条扇出导线,所述扇出导线包括设置于所述栅绝缘层上的非晶硅层、欧姆接触层以及源漏极层,所述扇出导线是通过在所述源漏极层上形成第一光刻胶,并对所述第一光刻胶进行半曝光显影工艺后,对所述非晶硅层、欧姆接触层、源漏极层、第一光刻胶采用刻蚀工艺,然后剥离第一光刻胶,形成第二光刻胶,对所述第二光刻胶进行全曝光显影工艺,以及对非晶硅层采用刻蚀工艺所形成的。
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