| 摘要 |
半導体スイッチング素子を有する電力変換回路が実装された絶縁基板が、前記絶縁基板よりも熱伝導率の高い熱伝導板の一端側の領域に実装された回路基板部と、前記熱伝導板において前記一端側の領域に隣接する他端側の領域であって、前記熱伝導板を厚み方向または面方向に貫通する複数の第１空隙部を有し、前記絶縁基板から前記熱伝導板に伝導した熱を放熱して前記絶縁基板を冷却する放熱部と、を有する複数の電力変換モジュールと、前記複数の電力変換モジュールを収納する筐体と、を備え、前記電力変換モジュールは、前記放熱部を外部に露出させた状態で前記回路基板部が前記筐体に収納され、前記放熱部における前記熱伝導板の厚みが、前記回路基板部の前記熱伝導板の厚みよりも厚く、前記放熱部の前記熱伝導板における前記他端側の端部領域に、前記放熱部同士を重ねて接合された状態で積層された２つの前記電力変換モジュール同士を固定する係止部を備える。 |
