发明名称 一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法
摘要 一种CIGS基薄膜太阳电池及其制备方法,该制备方法如下:在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一背电极层、在背电极上形成一光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电层,其特征在于具有一定厚度的碱过滤层允许一部分碱金属离子从玻璃基板扩散进入CIGS基光吸收层中,更进一步在CIGS基光吸收层的外侧添加一定量的碱金属。
申请公布号 CN104617183A 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201410453641.2 申请日期 2014.09.05
申请人 厦门神科太阳能有限公司 发明人 李艺明;田宏波
分类号 H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0392(2006.01)I;H01L31/0749(2012.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 代理人 张松亭
主权项 一种CIGS基薄膜太阳电池的制备方法,该制备方法包括如下步骤:在玻璃基板上形成一含有Li、K中至少一种元素的碱过滤层、在碱过滤层上形成一金属背电极层、在金属背电极层上形成CIGS基光吸收层、在光吸收层上形成一缓冲层、在缓冲层上形成一n型透明导电膜层,其中,所述的碱过滤层厚度为1–15nm,且允许玻璃基板中的一部分碱金属离子通过热扩散进入到CIGS光吸收层中,此外,所述的光吸收层中的碱金属离子单从玻璃基板中的碱金属离子扩散进入光吸收层,或从玻璃基板中的碱金属离子和含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层中的碱金属离子一同扩散进入光吸收层;所述CIGS基光吸收层由铜铟镓金属预制层或含有碱金属离子的铜铟镓金属预制层进行硒化和/或硫化热处理后获得。
地址 361000 福建省厦门市火炬高新区创业园伟业楼南楼S102A室