发明名称 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
摘要 本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置,用以改善屏幕发绿,减少公共电极的腐蚀。所述方法包括:在钝化层上沉积透明导电层,通过构图工艺制作若干过孔;在完成上述步骤的衬底基板上沉积金属层,在金属层上涂覆光刻胶,使用掩膜板对光刻胶曝光、显影,形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区;光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域,光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区;对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀,形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线,金属线通过过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线连接。
申请公布号 CN104617049A 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201510106545.5 申请日期 2015.03.11
申请人 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 发明人 白金超;郭杨辰;刘晓伟;刘耀;丁向前;郭总杰
分类号 H01L21/84(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L23/50(2006.01)I 主分类号 H01L21/84(2006.01)I
代理机构 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人 黄志华
主权项 一种阵列基板的制作方法,该方法包括在衬底基板上制作栅极、栅极绝缘层、半导体有源层、像素电极、源极、漏极和钝化层,其特征在于,所述方法还包括:在钝化层上沉积一层透明导电层,通过构图工艺制作若干过孔,所述过孔暴露出阵列基板外围引线区中需要电连接的引线;在完成上述步骤的衬底基板上沉积一层金属层,在所述金属层上涂覆光刻胶,使用掩膜板对所述光刻胶曝光、显影,形成光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区;所述光刻胶部分保留区对应阵列基板显示区中需要形成公共电极的区域,所述光刻胶完全保留区对应阵列基板外围引线区;对光刻胶完全去除区、光刻胶部分保留区以及光刻胶完全保留区进行刻蚀,形成阵列基板显示区的公共电极和阵列基板外围引线区中的公共电极和金属线,所述金属线通过所述过孔将阵列基板外围引线区中需要电连接的引线进行连接。
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