| 发明名称 | 金属栅极的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种金属栅极的形成方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成连成一体的第一伪栅极和第二伪栅极；去除所述第一伪栅极形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁凹入所述第二伪栅极中形成侧凹槽；形成填充块填补所述侧凹槽；在所述第一沟槽内形成第一金属栅极。所述方法通过形成填充块填补制作过程中出现的侧凹槽，形成了不存在侧凹槽的第一沟槽，因此第一功函数金属层和第一金属栅极能够正常形成在第一沟槽内，不受制作过程中出现的侧凹槽的影响，提高晶体管的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN104616990A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201310541712.X | 申请日期 | 2013.11.05 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 韩秋华 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上形成连成一体的第一伪栅极和第二伪栅极；去除所述第一伪栅极形成第一沟槽，所述第一沟槽的侧壁凹入所述第二伪栅极中形成侧凹槽；形成填充块填补所述侧凹槽；在所述第一沟槽内形成第一金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||