薄膜晶体管及其制造方法，以及半导体装置

摘要

本发明的目的之一在于防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向漂移。在薄膜晶体管中，在源电极层及漏电极层与氧化物半导体层之间设置有缓冲层。缓冲层在氧化物半导体层的部上具有作为绝缘体或半导体的金属氧化物层。金属氧化物层用作抑制杂质侵入到氧化物半导体层的保护层。因此，可以防止薄膜晶体管的截止电流的增加或阈值电压的负向偏移。

主权项

一种晶体管的制造方法，包括如下步骤：在衬底上形成第一导电膜；在所述第一导电膜上形成第一抗蚀剂；通过将所述第一抗蚀剂用作掩模对所述第一导电膜选择性地进行蚀刻来形成栅电极层；在所述衬底及所述栅电极层上形成栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成氧化物半导体膜；在所述氧化物半导体膜上形成第二导电膜；在所述第二导电膜上形成第二抗蚀剂；通过将所述第二抗蚀剂用作掩模对所述氧化物半导体膜及所述第二导电膜选择性地进行蚀刻来形成氧化物半导体层及导电层；在所述栅极绝缘层及所述导电层上形成第三导电膜；在所述第三导电膜上形成第三抗蚀剂；通过将所述第三抗蚀剂用作掩模对所述第三导电膜选择性地进行蚀刻来形成源电极层及漏电极层；并且，通过将所述第三抗蚀剂用作掩模进行氧化处理，在所述氧化物半导体层与所述源电极层及所述漏电极层的每一个之间形成一对导电层，并且在所述氧化物半导体层上形成金属氧化物层。