| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Verbindungsanordnung. Die Verbindungsanordnung umfasst ein Halbleiterbauelement und wenigstens einen elektrisch leitfähigen längsgestreckten Leiter, insbesondere Draht oder bandförmiger Draht. Das Halbleiterbauelement weist wenigstens einen wenigstens eine elektrisch leitfähige Schicht umfassenden elektrischen Anschluss auf. Bei der Verbindungsanordnung ist ein Endabschnitt des Drahtes mit dem Anschluss mittels Ultraschallschweißen verbunden. Erfindungsgemäß weist der Anschluss des Halbleiterbauelements der wenigstens eine elektrisch leitfähige Schutzschicht auf, wobei die Schutzschicht zwischen einer zum Ultraschallverschweißen ausgebildeten Schweißschicht des Anschlusses und dem Halbleiterbauelement angeordnet ist. Die Schutzschicht ist eine Metallschicht, die bevorzugt durch wenigstens ein Metall, bevorzugt aus der sechsten Gruppe des Periodensystems, gebildet ist. Die Schutzschicht ist ausgebildet, beim Ultraschallverschweißen des Endabschnitts mit der Schweißschicht ein Durchbrechen des Endabschnitts durch die Schutzschicht hindurch in den Halbleiterbaustein zu verhindern. |
