发明名称 一种氩弧焊引弧电路
摘要 本发明涉及一种引弧电路,尤其涉及并公开了一种氩弧焊引弧电路,包括高频升压变压器T1、高频耦合器T2,所述的高频升压变压器T1的次级与高频耦合器T2的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路,所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发电路,可控硅保护电路。本发明所述的一种氩弧焊引弧电路,由可控硅触发电路控制可控硅的通断代替原有的火花塞提供高频耦合器T2的初级电流通路,使高频耦合器T2的初级电压比较稳定,增强了起弧的一致性和稳定性,大大降低了对主电路的干扰。同时,也避免了火花塞方式的引弧效果一致性差,粉尘堆积导致不易起弧等问题。
申请公布号 CN102179596B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201110123223.3 申请日期 2011.05.13
申请人 杭州恒湖科技有限公司 发明人 张宇;应杰;王新军;张引
分类号 B23K9/067(2006.01)I;B23K9/16(2006.01)I 主分类号 B23K9/067(2006.01)I
代理机构 浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 代理人 徐关寿
主权项 一种氩弧焊引弧电路,包括高频升压变压器T1、高频耦合器T2,其特征在于:所述的高频升压变压器T1的次级与高频耦合器T2的初级之间连接有整流滤波电路与高压放电回路,所述的高压放电回路包括可控硅V2、可控硅触发电路,可控硅保护电路,所述的整流滤波电路包括由第一二极管D1、第二二极管D2、第三二极管D3、第四二极管D4组成的全波整流桥,所述的全波整流桥的输出端分别与可控硅V2的正、负极连接,第三电容C3连接在高频升压变压器T1的T1‑1端与T1‑4端之间;所述的可控硅触发电路包括串联连接的第二电阻R2、第一双向二极管V1、第三电阻R3、压敏电阻Rs,所述的可控硅V2的负极与触发极连接在第二电阻R2的两端,可控硅V2的正极与压敏电阻Rs的另一端相连接。
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