半导体存储单元、器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体存储单元、器件及其制备方法。该半导体存储单元，包括：衬底；沟道区，位于衬底上方；栅区，位于沟道区上方；源区和漏区，位于衬底上方，沟道区的两侧；埋层，位于衬底和沟道区之间，由禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成。由于埋层的禁带宽度比沟道区材料的禁带宽度要窄，从而在埋层形成空穴势垒，存储在埋层中的空穴将面临势垒很难泄露出去。通过上述方法，可以提高采用浮体效应的存储单元的信息保持时间。

主权项

一种半导体存储单元，其特征在于，该半导体存储单元为无电容结构，包括：衬底；沟道区，位于所述衬底上方，由沟道层利用栅刻蚀掩膜层刻蚀形成，其中，所述栅刻蚀掩膜层是由淀积的光刻胶通过曝光、显影获得的，该沟道区的两侧回填二氧化硅完成半导体存储单元的隔离；栅区，位于所述沟道区上方；源区和漏区，位于所述衬底上方，所述沟道区的两侧；埋层，位于所述衬底和沟道区之间，由禁带宽度比所述沟道区材料的禁带宽度窄的材料构成；以及所述埋层两侧的绝缘层，该绝缘层位于所述源/漏区与衬底之间且部分的还位于所述沟道区与衬底之间，其制备工艺包括：采用曝光光刻的方法刻蚀沟道层和所述埋层；选择性地刻蚀所述沟道层下方的埋层；采用氧化或淀积的方法在所述埋层的两侧，所述源/漏区与衬底之间及所述沟道层下方的被选择性地刻蚀的埋层的区域沉积绝缘层。