| 发明名称 | 等离子处理装置以及等离子处理方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及等离子处理装置，提升等离子处理性能和冷却性能这两者。干式蚀刻装置(1)以保持在具备框架(6)和保持片(5)的搬运载体(4)的晶片(2)为处理对象。机台(11)的电极部(13)具备静电卡盘(17)。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置晶片(2)的区域是平坦部，不运用背面气体冷却。静电卡盘(17)的上表面的隔着保持片(5)载置框架(6)的区域、和晶片(2)与框架(6)间的配置保持片(5)的区域形成第1槽结构部(43)。由第1传热气体提供部(41A)介由传热气体提供孔(45、46)向由第1槽结构部(43)和搬运载体(4)划定的微小空间提供来自稀有气体源(48)的传热气体(背面气体冷却)。 | ||
| 申请公布号 | CN104616957A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410558116.7 | 申请日期 | 2014.10.20 |
| 申请人 | 松下知识产权经营株式会社 | 发明人 | 置田尚吾 |
| 分类号 | H01J37/32(2006.01)I;H01J37/02(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01J37/32(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 薛凯 |
| 主权项 | 一种等离子处理装置，对保持在具备框架和保持片的搬运载体的基板进行等离子处理，所述离子处理装置具备：腔室，其有能减压的内部空间；工艺气体提供单元，其对所述内部空间提供工艺气体；减压单元，其对所述内部空间进行减压；等离子产生单元，其使所述内部空间产生等离子；机台，其设于所述腔室内，具备载置所述搬运载体的电极部；实质平坦的平坦部，其设置在所述电极部中的、隔着所述保持片载置所述基板的区域即第1区域；第1非平坦部，其设置在所述电极部中的第2区域，至少具有1个向从所述搬运载体远离的朝向凹陷的凹部，所述第2区域至少包含隔着所述保持片载置所述框架的区域、和所述基板与所述框架间的配置所述保持片的区域；和第1传热气体提供部，其向在所述第1非平坦部与所述搬运载体间划定的第1微小空间提供传热气体。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||