| 发明名称 | 具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种多层半导体器件结构，其包括：第一掩埋氧化物和在掩埋氧化物之上制造的第一半导体器件层。第一半导体器件层包括图案化的顶面。图案化的顶面包括绝缘材料和导体材料。绝缘材料的表面图案密度大于40％。多层半导体器件结构还包括：接合至第一半导体器件层的图案化的表面的第二掩埋氧化物和在第二掩埋氧化物之上制造的第二半导体器件层。本发明还涉及具有多个半导体器件层的半导体结构的系统和方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104617101A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410431333.X | 申请日期 | 2014.08.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 林以唐;蔡俊雄;万幸仁 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L25/07(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种多层半导体器件结构，包括：第一掩埋氧化物；第一半导体器件层，制造在所述第一掩埋氧化物之上并且包括图案化的顶面，所述图案化的顶面包括绝缘材料和导体材料，其中，所述绝缘材料的表面图案密度大于40％；第二掩埋氧化物，接合至所述第一半导体器件层的所述图案化的顶面；以及第二半导体器件层，制造在所述第二掩埋氧化物之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||