发明名称 | 双面研磨方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序、及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序的双面研磨方法,该双面研磨方法包含:测量工序,其在研磨后将从晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间,且光学测量该已分割的区间的截面形状;数值化工序,其将每个已分割的区间的已预先设定的权重附加至已测量的截面形状,将每个区间的平坦度加以数值化;以及设定工序,其基于已数值化的平坦度,来设定下次研磨时的第一研磨工序的研磨条件和第二研磨工序的研磨条件;其中,在测量截面形状的工序中,最外周区间的测量所使用的测量装置的光束直径,比最外周以外的区间的测量所使用的光束直径更小。由此,提供一种双面研磨方法,能够不降低生产率且以良好的精度来测量研磨后的晶圆的直到最外周部的形状,以提高包含晶圆的最外周部的晶圆整体的平坦度。 | ||
申请公布号 | CN104620362A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
申请号 | CN201380047658.1 | 申请日期 | 2013.10.21 |
申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 浅井一将 |
分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;张晶 |
主权项 | 一种双面研磨方法,其是利用粘贴有研磨布的上磨盘和下磨盘夹持载具所保持的晶圆,使所述载具自转及公转,并供给研磨剂,且一边测量所述晶圆的厚度一边同时研磨所述晶圆的双面的晶圆的双面研磨,所述双面研磨方法具有以高研磨速率进行研磨的第一研磨工序及接着以低研磨速率进行研磨的第二研磨工序,其特征在于,包含:测量工序,其在研磨后将从所述晶圆的最外周部通过中心的直线分割成规定的区间,且光学测量该已分割的区间的截面形状;数值化工序,其将每个所述已分割的区间的已预先设定的权重,附加至所述已测量的截面形状,将每个所述区间的平坦度加以数值化;以及设定工序,其基于所述已数值化的平坦度,来设定下次研磨时的所述第一研磨工序的研磨条件和所述第二研磨工序的研磨条件;其中,在所述测量截面形状的工序中,最外周区间的测量所使用的测量装置的光束直径,比所述最外周区间以外的区间的测量所使用的光束直径更小。 | ||
地址 | 日本东京都 |