| 发明名称 | 一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质及其制备方法 | ||
| 摘要 | 一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量百分比的原料制成：BaTiO<sub>3</sub> 54-91%，MgSnO<sub>3</sub> 2-13%，SrZrO<sub>3</sub> 2-15%，Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 0.05-1%，CeO<sub>2</sub> 0.03-1.0%，ZnO 0.1-1.0%，Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0.03-1.0%，BiScO<sub>3</sub> 2-15%。本发明还提供上述高介电常数低损耗陶瓷电容器介质的一种制备方法。本发明的高介电常数低损耗陶瓷电容器介质介电常数高、耐电压高、介质损耗低，在制备和使用过程中对环境无污染，并且能降低高介低损耗陶瓷电容器的成本，适合于制备单片陶瓷电容器和多层片式陶瓷电容器。 | ||
| 申请公布号 | CN104609854A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510059755.3 | 申请日期 | 2015.02.05 |
| 申请人 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 发明人 | 黄瑞南;林榕;胡勇;谢冬桔;赵明辉 |
| 分类号 | C04B35/468(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I | 主分类号 | C04B35/468(2006.01)I |
| 代理机构 | 汕头市潮睿专利事务有限公司 44230 | 代理人 | 林天普;丁德轩 |
| 主权项 | 一种高介电常数低损耗陶瓷电容器介质，其特征在于由下述重量百分比的原料制成：BaTiO<sub>3</sub> 54‑91%，MgSnO<sub>3</sub> 2‑13%，SrZrO<sub>3</sub> 2‑15%，Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub> 0.05‑1%，CeO<sub>2</sub> 0.03‑1.0%，ZnO 0.1‑1.0%，Co<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 0.03‑1.0%，BiScO<sub>3</sub> 2‑15%。 | ||
| 地址 | 515041 广东省汕头市汕头高新区科技西路9号 | ||