发明名称 | 低辐射薄膜、低辐射镀膜玻璃及其制备方法 | ||
摘要 | 本发明提供了一种低辐射薄膜,包括:衬底,置于所述衬底上的第一介质层,所述第一介质层为Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>;置于所述第一介质层上的功能层,所述功能层为Ag;置于所述功能层上的第二介质层,所述第二介质层为Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>。本发明还提供了一种低辐射玻璃及其制备方法。本发明采用Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>作为第一介质层和第二介质层,Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>能够形成致密的薄膜,作为介质层时,能够有效阻隔空气中的氧气和水汽等渗透进入功能层,从而减轻氧气和水汽对金属银的腐蚀氧化,增加低辐射薄膜的稳定性,使得低辐射薄膜不易失去低辐射性能。实验表明,本发明提供的低辐射玻璃具有良好的光学性能和稳定性,可以在空气中存放数年。 | ||
申请公布号 | CN102653455B | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
申请号 | CN201110049715.2 | 申请日期 | 2011.03.01 |
申请人 | 苏州大学 | 发明人 | 狄国庆 |
分类号 | C03C17/36(2006.01)I | 主分类号 | C03C17/36(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 常亮;李辰 |
主权项 | 一种低辐射薄膜,由以下结构组成:衬底;置于所述衬底上的第一介质层,所述第一介质层为Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>;所述第一介质层的厚度为5nm~30nm;置于所述第一介质层上的功能层,所述功能层为Ag;置于所述功能层上的第二介质层,所述第二介质层为Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>;所述第二介质层的厚度为40nm~70nm;所述第一介质层是以Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>为靶材,采用射频磁控溅射的方法在所述衬底上形成;所述第二介质层是以Ta<sub>2</sub>O<sub>5</sub>为靶材,采用射频磁控溅射的方法在所述功能层上形成。 | ||
地址 | 215123 江苏省苏州市工业园区仁爱路199号 |