发明名称 一种花片太阳能电池制备方法
摘要 本发明属于太阳能电池制作领域,具体涉及一种花片太阳能电池的制备方法。该方法是在常规太阳能电池的制造过程中使用碱制绒代替酸制绒对多晶硅进行表面织构化处理,以在多晶的不同晶粒表面形成表面积/面积比,之后通过调节镀膜工艺,在不同晶粒上形成不同的镀膜厚度和颜色,在硅片上形成花色。本发明可以在常规太阳能电池产线上改造完成,迅速实现量产,制备出的花色较常规蓝色电池更加美观,符合建筑装饰的要求,将绿色新能源与建筑一体化更完美的结合在一起,具有巨大的市场价值。
申请公布号 CN102931289B 申请公布日期 2015.05.13
申请号 CN201210493910.9 申请日期 2012.11.28
申请人 山东力诺太阳能电力股份有限公司 发明人 徐振华;李钢;武明;杨晓君;李秉霖;姜言森;贾河顺;程亮;任现坤;张春艳
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 济南舜源专利事务所有限公司 37205 代理人 宋玉霞
主权项 一种花片太阳能电池制备方法,其特征在于,在常规多晶硅制备工艺的基础上,使用碱制绒代替酸制绒对多晶硅进行表面织构化处理,获得不同晶粒表面上不相同的表面积/面积比,之后调节镀膜工艺,调节镀膜温度,时间,射频功率,使不同晶粒上同时镀膜得到的色彩调制层厚度不同,从而获得硅片上的花色;所述的一种花片太阳能电池制备方法,具体步骤为,(1)多晶硅片使用单晶硅用槽式制绒机台进行表面织构化处理,硅片经过去除切片损伤层后,进行制绒,制绒溶液为0.5%质量比的NaOH溶液,为控制制绒速度还加入0.05%体积比的异丙醇和0.005%体积比的制绒添加剂,控制制绒温度78℃,制绒时间为1200秒;(2)制绒后进行扩散,控制扩散工艺,得到方阻为80±5 ohm/sq的PN结,扩散后的硅片表面有一层磷硅玻璃,经过边缘刻蚀和洗磷工序,将硅片侧面和边缘的磷硅玻璃洗掉;(3)洗磷后的硅片,使用上镀膜板式镀膜机台进行氮化硅的沉积镀膜,镀膜功率为3100W,调节硅烷和和氨气的比例和流速使得最终镀膜厚度在130nm到190nm,折射率在2.05~2.5之间,由于不同晶粒的表面积/面积比不同,沉积后得到的膜厚也就会有差异,表面较粗糙,表面积/面积比大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄,膜厚在130nm,呈黄色;另一方面,表面较平滑,表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚,在180nm,会呈现出暗紫色,这样就在硅片表面上形成了花色;或者洗磷后的硅片,使用上镀膜板式镀膜机台进行氮化硅的沉积镀膜,镀膜功率为3100W,调节硅烷和和氨气的比例和流速使得最终镀膜厚度在320nm以上,折射率在2.05~2.5之间,由于不同晶粒的表面积/面积比不同,沉积后得到的膜厚也就会有差异,表面较粗糙,表面积/面积比大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄,膜厚在320nm,呈红色;另一方面,表面较平滑,表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚,大于330nm,会呈现出绿色,这样就在硅片表面上形成了红绿相间的花色;或者洗磷后的硅片,使用APCVD镀膜机台进行SiO2的沉积,调节气体比例和流速使得镀膜厚度在80nm到100nm,折射率在1.45,由于不同晶粒的表面积/面积比不同,沉积后得到的膜厚也就会有差异;表面较粗糙,表面积/面积比大的晶粒上沉积的薄膜厚度较薄,膜厚在80nm,呈红色;另一方面,表面较平滑,表面积/面积比较小的晶粒上沉积的膜厚就较厚,在100nm以上,呈现出蓝色,这样就在硅片表面上形成了红蓝相间的花色。
地址 250103 山东省济南市经十东路30766号力诺科技园
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