发明名称 |
Optoelektronischer Sensor |
摘要 |
Einige Ausführungsformen der Beschreibung betreffen einen optoelektronischen Infrarot(IR)-Sensor mit einem in einem einzelnen integrierten Silizium-Chip implementierten Silizium-Wellenleiter. Der IR-Sensor weist ein Halbleitersubstrat mit einem Silizium-Wellenleiter auf, der sich entlang einer Länge zwischen einem Strahlungseinlasskanal und einem Strahlungsauslasskanal erstreckt. Der Strahlungseinlasskanal koppelt Strahlung in den Silizium-Wellenleiter ein, während der Strahlungsauslasskanal Strahlung aus dem Silizium-Wellenleiter auskoppelt. Der Silizium-Wellenleiter überträgt die IR-Strahlung von dem Strahlungseinlasskanal zum Strahlungsauslasskanal in einer einzelnen Mode. Beim Übertragen der Strahlung durch den Silizium-Wellenleiter wird ein abklingendes Feld ausgebildet, das sich vom Silizium-Wellenleiter nach außen erstreckt, um mit einer zwischen dem Strahlungseinlasskanal und dem Strahlungsauslasskanal positionierten Probe in Wechselwirkung zu treten. |
申请公布号 |
DE112013004299(T5) |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
DE20131104299T |
申请日期 |
2013.08.26 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
JAKOBY, BERNHARD;LAVCHIEV, VENTSISLAV M.;GRILLE, THOMAS;IRSIGLER, PETER;SGOURIDIS, SOKRATIS;HEDENIG, URSULA;OSTERMANN, THOMAS |
分类号 |
G01N21/55;G01N21/77;G01N33/543 |
主分类号 |
G01N21/55 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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