| 摘要 |
<p>Thermoelektrisches Element mit:–einem mikroelektronischen Chip mit zumindest einem Bereich mit einer größeren Wärmeableitungsrate als der Rest des mikroelektronischen Chips, wenn er in Betrieb ist;–einer ersten Elektrode nahe dem mikroelektronischen Chip einschließlich dem Bereich größerer Wärme;–einem dielektrischen Material nahe der ersten Elektrode;–einer zweiten Elektrode gegenüberliegend der ersten Elektrode mit dem dielektrischen Material dazwischen angeordnet; und–einer Mehrzahl von sich zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode erstreckenden Nano-Drähten, wobei die Nano-Drähte nahe dem zumindest einen Bereich mit größerer Wärmeableitungsrate eine höhere Dichte aufweisen, eine niedrigere Dichte, welche die höhere Dichte umgibt, nahe einem Zwischenbereich zwischen dem Bereich großer Wärmeableitungsrate und dem Rest des mikroelektronischen Chips aufweisen, eine weitere niedrige Dichte, welche die niedrigere Dichte umgibt, aufweisen, und keine Nano-Drähte nahe dem Rest des mikroelektronischen Chips vorhanden sind, wobei die höhere Dichte, die niedrigere Dichte und die weitere niedrigere Dichte von Nano-Drähten konzentrische Ovale bilden.</p> |
