| 发明名称 | 半导体器件和用于生产其的方法 | ||
| 摘要 | 半导体器件和用于生产其的方法。半导体器件包括：具有前端面和后端面的半导体主体，其具有位于前端面处的有源区；具有前端面和指向有源区的后端面的前表面金属化层，前表面金属化层被提供在半导体主体的前端面上并电连接到有源区；以及包括非晶金属氮化物的第一阻挡层，其位于有源区和金属化层之间。此外，提供了用于生产这样的器件的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN104617142A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410610653.1 | 申请日期 | 2014.11.04 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | J. 希尔森贝克;J. P. 康拉特;S. 克里韦克 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L29/772(2006.01)I;H01L29/775(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：‑ 具有前端面和后端面的半导体主体，所述半导体主体具有位于所述前端面处的有源区，‑ 具有前端面和指向所述有源区的后端面的前表面金属化层，所述前表面金属化层被提供在所述半导体主体的所述前端面上并电连接到所述有源区，‑ 第一阻挡层，其包括非晶金属氮化物，位于所述有源区和所述前表面金属化层之间，以及‑ 第二阻挡层，其包括非晶金属氮化物，被提供在所述前表面金属化层的所述前端面上。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||