| 摘要 |
따뜻한 벽 CVD 시스템 내에서 SiC 기판 위에 에피택셜 SiC 필름을 형성시키는 방법이 기재되어 있으며, 여기서 서스셉터는 활성적으로 가열되며 천장 및 측벽은 활성적으로 가열되지 않으나, 서스셉터에 의해 간접적으로 가열되도록 한다. 당해 방법은 반응 셀 제조의 제1 공정 및 에피택셜 필름 성장의 제2 공정을 포함한다. 에피택셜 성장은 수소, 규소 및 탄소 기체의 기체 혼합물을 120 내지 250 cm/sec의 범위의 총 기체 속도에서 웨이퍼의 표면과 평행하게 유동시킴으로써 수행된다. |
