发明名称 |
光学半导体装置及其制造方法 |
摘要 |
根据一个实施例,一种光学半导体装置,包括发光层、透明层、第一金属柱、第二金属柱和密封层。发光层包括第一主表面、第二主表面、第一电极和第二电极。第二主表面是与第一主表面相对的表面,且第一电极和第二电极形成在第二主表面上。透明层设置在第一主表面上。第一金属柱设置在第一电极上。第二金属柱设置在第二电极上。密封层设置在第二主表面上。该密封层被配置为覆盖发光层的侧表面,并且密封第一金属柱和第二金属柱,而使第一金属柱的端部和第二金属柱的端部暴露在外。 |
申请公布号 |
CN104617203A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201410812272.1 |
申请日期 |
2011.06.07 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
小泉洋;冈田康秀;小幡进;中具道;樋口和人;下川一生;杉崎吉昭;小岛章弘 |
分类号 |
H01L33/44(2010.01)I;H01L33/50(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/44(2010.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈松涛;夏青 |
主权项 |
一种光学半导体装置,包括:第一树脂层;以及第二树脂层,所述第二树脂层与所述第一树脂层堆叠,所述第二树脂层包括活性层,所述活性层的表面面向所述第一树脂层,并且所述活性层的侧表面被所述第二树脂层包围。 |
地址 |
日本东京都 |