晶圆级芯片尺寸封装中通孔互连的制作方法

摘要

本发明公开了一种晶圆级芯片尺寸封装中通孔互连的制作方法，在采用刻蚀方法去除焊垫上的阻挡材料时，通过在开口内和基底的背面上铺设光刻胶，并使光刻胶填满开口，形成光刻胶层；接着通过曝光、显影工艺去除焊垫上方的光刻胶层，然后再利用干法刻蚀去除焊垫上方的介质层。该方法简单、易行；且在通过干法刻蚀去除焊垫上的介质层时，可避免焊垫上介质层尚未刻蚀去除干净，而晶圆背面的绝缘层被刻蚀到很薄或者已经用尽而造成线路短路的问题。本发明能够简化刻蚀方法形成硅通孔互连的工艺步骤，使晶圆级芯片尺寸封装步骤更加简单，提高封装效率，同时提高封装的可靠性。

主权项

一种晶圆级芯片尺寸封装中通孔互连的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：a、提供一具有若干个芯片单元的晶圆，所述芯片单元包括基底(1)和位于所述基底的正面的介质层(3)，所述基底的正面设置有元件区(4)，所述元件区周边设有若干焊垫(2)，且所述焊垫位于所述介质层内，所述元件区与其周边的焊垫电性相连；b、在所述基底的背面形成与所述焊垫相对的第一开口(9)，且所述第一开口由基底的背面延伸至对应焊垫的上方；c、在步骤b形成的所述第一开口内和所述基底的背面上铺设光刻胶，且所述光刻胶将所述第一开口填满，形成光刻胶层(5)，所述光刻胶层既作为掩膜层又作为绝缘层；d、通过曝光、显影工艺，去除所述焊垫上方的光刻胶层，暴露出所述焊垫的表面；e、在步骤d后的光刻胶层上和暴露出的焊垫表面上铺设金属布线层(6)；f、在步骤e形成的金属布线层上铺设保护层(7)。