| 发明名称 | 低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种低温多晶硅薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及显示装置，属于显示技术领域。其中，低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。本发明的技术方案能够减少沟道效应、使得离子注入的深度均匀性较佳，薄膜晶体管的阈值电压的均匀性较好，并实现源漏超浅结。 | ||
| 申请公布号 | CN104617151A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201510035832.1 | 申请日期 | 2015.01.23 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 陆小勇;刘政;李小龙;田慧;孙亮;王祖强 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：利用低温多晶硅薄膜形成包括源区和漏区的有源层，所述源区用于与薄膜晶体管的源电极相接触，所述漏区用于与薄膜晶体管的漏电极相接触；在所述源区和漏区的低温多晶硅薄膜表面形成非晶硅层；对表面形成有所述非晶硅层的低温多晶硅薄膜进行离子注入。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||