一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料制备方法，该方法包括以下步骤：（1）配制化学腐蚀溶液并获取具有绒面结构的单晶硅基片；（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在绒面单晶硅基片上制备微晶硅薄膜；（3）对步骤（2）所制备的样品在高纯氮气或氧气氛围下进行高温退火处理。经过上述步骤所制备的硅量子点薄膜材料具有硅量子点尺寸精度可控性高、钝化效果好等优点。

主权项

一种以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）绒面单晶硅基片的制备，将单晶硅基片置于氢氧化钾、去离子水和异丙醇的混合溶剂中，在45～75℃恒温水浴内保持10～30分钟，形成平均线度为40～100nm的图案；（2）采用等离子体增强化学气相沉积技术在绒面单晶硅上制备微晶硅薄膜；具体制备工艺参数为：射频功率：60～100W，射频频率：13.56MHz，基片温度：230～280℃，腔体压强：70～100Pa，氢气稀释5%～10%（体积百分比）的SiH₄：10～20sccm，镀膜时间：30～50分钟；（3）对制备完毕的微晶硅薄膜样品在氮气或氧气氛围中实施高温退火处理；升温前，向石英管退火炉内通入纯度为99.99%～99.999%（体积百分比）的氮气或氧气并保持10～15分钟，氮气或氧气流量为30～50sccm，将样品置于石英舟上推入石英炉内，在氮气或氧气氛围中由室温直接升温至1150～1300℃，保持30～55分钟，之后在室温下于氮气或氧气氛围中冷却至室温，制得以绒面单晶硅片为基底的含硅量子点薄膜材料。