电子芯片屏蔽层结构

摘要

本发明涉及一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，在所述环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡-镍-钴电磁屏蔽层。本发明采用溅镀和电镀技术电子芯片屏蔽层结构实现了射频产品不用外加金属屏蔽罩就拥有极好的抗电磁干扰能力，显著降低了成本，与传统工艺相比不仅显著提高了材料利用率，节省了封装成本，而且节约80％以上的工艺时间。

主权项

一种电子芯片屏蔽层结构，所述电子芯片采用环氧树脂封装，其特征在于：在所述环氧树脂表面溅射沉积有铜镀层，在所述铜镀层表面电镀形成有锡‑镍‑钴电磁屏蔽层；所述电磁屏蔽层使用的电镀液的组成为焦磷酸亚锡：28～32g/L，二氯化锡：8～10g/L，硫酸钴：10～12g/L，硫酸镍：35～40g/L，氨基磺酸：1.0～1.5g/L，氨基乙酸：1.0～1.5g/L，氟化铵：1.5～2.0g/L，硼酸：3～5g/L，酒石酸钾钠：3～5g/L，苯磺酸钠：1.2～1.5g/L，十六烷基三甲基溴化铵：8～12g/L；电镀时镀液温度为72～80℃，阴极电流密度为3.5～5.0Adm^‑2。