用于浅沟道隔离(STI)的掺杂氧化物

摘要

本发明所述的实施例提供了用于以碳对STI中的氧化物进行掺杂以使窄结构和宽结构中的蚀刻率相等并且也使宽STI的角部变牢固的方法和结构。可以通过离子束(离子注入)或等离子体掺杂来进行这种碳掺杂。可以使用硬掩模层以防止下方的硅受到掺杂。通过使用该掺杂机制，硅和STI的平坦的表面形状能够实现先进的工艺技术的栅极结构图案化和ILD0间隙填充。

主权项

一种对衬底上的浅沟道隔离STI结构的表面氧化层进行掺杂的方法，包括：在带有STI结构的衬底上进行化学‑机械抛光CMP，其中，用氧化硅填充所述STI结构，以及其中，进行所述CMP以去除所述STI结构外部的氧化硅，以及其中，将用作蚀刻掩模以形成所述STI结构的硬掩模层用作CMP停止件，以及其中，所述CMP在所述STI结构上形成平坦的表面，在所述平坦的表面上带有氧化硅；以碳原子对所述STI结构上的平坦的表面上的氧化硅以及所述硬掩模层进行掺杂；在进行所述掺杂后对所述衬底进行退火；降低所述STI结构中被掺杂的氧化硅的高度；并且去除所述硬掩模层以使带有被掺杂的氧化硅的所述STI结构的顶面与所述衬底的顶面平齐。