半导体器件的制造方法

摘要

本公开实施例提供了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形成位于所述栅极两侧侧壁上的侧壁间隔件；形成位于所述侧壁间隔件外侧侧壁上的牺牲间隔件；以所述顶部掩模层和所述牺牲间隔件为掩模，对所述衬底进行干法刻蚀，以在相邻的牺牲间隔件之间的衬底中形成第一宽度的凹槽；对所述凹槽进行各向同性湿法刻蚀，以将所述凹槽扩展为具有第二宽度；去除所述牺牲间隔件；以及对所述凹槽进行晶向选择性的湿法刻蚀，以将所述凹槽的内壁形成为具有∑形状。本公开实施例的方法通过形成牺牲间隔件并利用湿法刻蚀去除了被干法刻蚀损伤的有晶格缺陷的衬底部分，从而能够获得良好的外延生长性能。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在衬底上形成栅极，栅极上形成有顶部掩模层；形成位于所述栅极两侧侧壁上的侧壁间隔件；形成位于所述侧壁间隔件外侧侧壁上的牺牲间隔件；以所述顶部掩模层和所述牺牲间隔件为掩模，对所述衬底进行干法刻蚀，以在相邻的牺牲间隔件之间的衬底中形成具有第一宽度和第一深度的凹槽；对所述凹槽进行各向同性湿法刻蚀，以将所述凹槽扩展为具有第二宽度和第二深度，从而去除被所述干法刻蚀损伤的有晶格缺陷的衬底部分，其中，所述凹槽的第二宽度基本上等于相邻的侧壁间隔件的外部边缘之间的距离；去除所述牺牲间隔件；以及对扩展为具有第二宽度和第二深度的所述凹槽进行晶向选择性的湿法刻蚀，以将所述凹槽的内壁形成为具有∑形状。