发明名称 |
具有双频率的单、多阵元IVUS换能器及其成型方法 |
摘要 |
本发明提供了一种具有双频率的单阵元IVUS换能器,包括低频压电结构、背衬结构、柔性电路板、填缝结构和两个子阵元,所述低频压电结构和背衬结构依次层叠于所述柔性电路板的一侧表面,所述子阵元和填缝结构设于所述柔性电路板的另一侧表面,且所述填缝结构间隔于两个所述子阵元之间,每个所述子阵元均包括层叠于所述柔性电路板另一侧表面的高频压电结构和匹配层。实际使用时,如要检测血管内壁病变,可以使用高频率(40MHz)的换能器;如要通过造影技术检测微小血管的病变,可以使用低频率(10MHz)的换能器,发射超声波,利用高频率(40MHz)的换能器接收高次谐波,并成像。 |
申请公布号 |
CN104605892A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201510030966.4 |
申请日期 |
2015.01.21 |
申请人 |
上海爱声生物医疗科技有限公司 |
发明人 |
马晓雯;江小宁 |
分类号 |
A61B8/12(2006.01)I |
主分类号 |
A61B8/12(2006.01)I |
代理机构 |
上海汉声知识产权代理有限公司 31236 |
代理人 |
胡晶 |
主权项 |
一种具有双频率的单阵元IVUS换能器,包括低频压电结构、背衬结构、柔性电路板、填缝结构和两个子阵元,所述低频压电结构和背衬结构依次层叠于所述柔性电路板的一侧表面,所述子阵元和填缝结构设于所述柔性电路板的另一侧表面,且所述填缝结构间隔于两个所述子阵元之间,每个所述子阵元均包括层叠于所述柔性电路板另一侧表面的高频压电结构和匹配层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路887弄77-78号楼1楼 |