| 发明名称 | 硅片凹痕缺陷增强方法以及半导体制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅片凹痕缺陷增强方法以及半导体制造方法。该硅片凹痕缺陷增强方法包括：第一步骤：针对闪存制造工艺对硅片进行加工，并且在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层；第二步骤：在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。根据本发明的硅片凹痕缺陷增强方法相对于现有技术的硅片凹痕缺陷增强方法，工艺时间被大大缩短，而且处理过程不用受炉管排货影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104616973A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410838532.2 | 申请日期 | 2014.12.26 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 熊鹏;杨兴;邓咏桢;康军 |
| 分类号 | H01L21/02(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种硅片凹痕缺陷增强方法，其特征在于包括：第一步骤：针对闪存制造工艺对硅片进行加工，其中在将对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀之前，利用氢氟酸去除硅衬底表面形成有硅片凹痕缺陷的硅片上的原生氧化层；第二步骤：在去除原生氧化层之后，执行对形成浮栅的多晶硅层进行刻蚀的工艺，以便通过刻蚀过程使得硅片凹痕缺陷增强。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||