半导体封装结构及其形成方法

摘要

一种半导体封装结构及其形成方法，其中，所述半导体封装结构，包括：若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；密封所述若干半导体芯片的密封材料层，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；位于相邻半导体芯片之间的密封材料层中的通孔互连结构，通孔互连结构贯穿密封材料层的厚度；位于密封材料层的正面上且与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；位于第一再布线层上的第一凸块；位于所述密封材料层的背面上且与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；位于第二再布线层上的第二凸块。本发明的半导体封装结构占据的体积小，集成度高。

主权项

一种半导体封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供若干半导体芯片，所述半导体芯片的表面上具有焊盘；将若干半导体芯片通过密封材料层密封，所述密封材料层的正面露出半导体芯片的表面上的焊盘；在相邻半导体芯片之间的密封材料层中形成通孔互连结构，密封材料层的正面露出通孔互连结构的表面；在密封材料层的正面上形成与所述焊盘和通孔互连结构顶部表面相连接的第一再布线层；在所述第一再布线层上形成第一凸块；平坦化所述密封材料层的背面，暴露出通孔互连结构的底部表面；在所述密封材料层的背面上形成与通孔互连结构底部表面相连的第二再布线层；在第二再布线层上形成第二凸块。