一种低铟透明电极及其制备方法

摘要

本发明属于纳米材料和光电子器件领域，具体涉及一种低铟透明电极及其制备方法。以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段，通过衬底上初期生长缓冲籽晶层，以高导电率金属膜为导电层，辅以氧化铟锡层来匹配表面功函，通过膜层厚度设计达到对透明电极的光学和电学的调制。本发明的主要特点是通过引入ITO超薄层的设计，不仅大幅提高了电极整体的电导率，而且保持了原有ITO电极的表面结构和特性，从而更好地有机统一了此类材料的稳定性、透光性、以及导电性。

主权项

一种低铟透明电极，其特征在于：以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段，通过衬底上初期生长缓冲籽晶层，以高导电率金属膜为导电层，辅以氧化铟锡层来匹配表面功函，通过膜层厚度设计达到对透明电极的光学和电学的调制。