发明名称 |
基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法 |
摘要 |
本发明提供一种基于二极管选通的相变存储器读出电路及读出方法,其中,所述基于二极管选通的相变存储器读出电路至少包括:偏置电路,用于提供恒定电流,以产生偏置电压;读电流限流电路,用于根据所述偏置电压对流过需要读数据位上的相变存储单元的读电流进行限流;基准电流限流电路,用于提供基准电流,并根据所述偏置电压对所述基准电流进行限流;比较电路,用于将限流后的读电流和限流后的基准电流进行比较,并根据比较结果读取所述需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据。本发明的基于二极管选通的相变存储器读出电路,能够适应相变存储器制备工艺中的偏差,使相变存储器具有良好的产品一致性,同时减小了数据读取难度和读错概率。 |
申请公布号 |
CN104616690A |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201410837990.4 |
申请日期 |
2014.12.24 |
申请人 |
中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
发明人 |
金荣;陈后鹏;王倩;李喜;宋志棠 |
分类号 |
G11C16/06(2006.01)I;G11C16/26(2006.01)I |
主分类号 |
G11C16/06(2006.01)I |
代理机构 |
上海光华专利事务所 31219 |
代理人 |
李仪萍 |
主权项 |
一种基于二极管选通的相变存储器读出电路,用于对需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据进行读取,其特征在于,所述基于二极管选通的相变存储器读出电路至少包括:偏置电路,用于提供恒定电流,以产生偏置电压;读电流限流电路,连接于所述偏置电路和所述需要读数据位上的相变存储单元,用于根据所述偏置电压对流过所述需要读数据位上的相变存储单元的读电流进行限流;基准电流限流电路,连接于所述偏置电路,用于提供基准电流,并根据所述偏置电压对所述基准电流进行限流;比较电路,连接于所述限流电路和所述基准电路,用于将所述限流后的读电流和所述限流后的基准电流进行比较,并根据比较结果读取所述需要读数据位上的相变存储单元所存储的数据。 |
地址 |
200050 上海市长宁区长宁路865号 |