低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法，方法包括：在栅极金属层上制作形成层间介质层；在层间介质层上形成光阻层，并对光阻层进行第一次退光阻以露出第一面积的层间介质层；对第一面积的层间介质层进行蚀刻以形成第一凹陷区；对光阻层进行第二次退光阻以露出第二面积的层间介质层；对第二面积的层间介质层和第一凹陷区进行蚀刻，以使得第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区。本发明实施例通过在层间介质层设置阶梯式的凹陷区通道，使得在凹陷区通道内制作源极、漏极金属层时，可以避免凹陷区通道的棱角触碰造成断线的问题，也可以避免源极、漏极金属无法填满凹陷区通道而形成空隙、导致产品可靠度低的技术问题。

主权项

一种低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：在栅极金属层上采用包括氧化硅和氮化硅材料制作形成层间介质层；在所述层间介质层上形成光阻层，并对所述光阻层进行第一次退光阻以露出第一面积的层间介质层；对所述第一面积的层间介质层进行蚀刻以形成第一凹陷区；对所述光阻层进行第二次退光阻以露出第二面积的层间介质层，其中，所述第一凹陷区位于所述第二面积的层间介质层中；对所述第二面积的层间介质层和所述第一凹陷区进行蚀刻，以使得所述第一凹陷区的周边形成阶梯式的第二凹陷区。