| 发明名称 | 用于形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机制 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于形成金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的机制。提供了用于形成具有金属-绝缘体-金属(MIM)电容器结构的半导体器件的机制的实施例。MIM电容器结构包括：衬底、和形成在衬底上的MIM电容器。MIM电容器包括形成在衬底上方的底电极。底电极是顶部金属层。MIM电容器还包括形成在底电极上的绝缘层、和形成在绝缘层上的顶电极。 | ||
| 申请公布号 | CN104617078A | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201410315681.0 | 申请日期 | 2014.07.03 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 任启中;许嘉伦 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种金属‑绝缘体‑金属(MIM)电容器结构，包括：衬底；以及MIM电容器，形成在所述衬底上，其中，所述MIM电容器包括：底电极，形成在所述衬底上方，其中，所述底电极是顶部金属层；绝缘层，形成在所述底电极上；以及顶电极，形成在所述绝缘层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||