隔离型NLDMOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种隔离型NLDMOS器件，在P型硅衬底上形成有两个独立的N型深阱；左N型深阱左部形成有一P阱；P阱左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；P阱右部上方及左N型深阱右部上方形成有栅氧化层；左N型深阱同右N型深阱之间的P型硅衬底上方及右N型深阱左部上方形成有场氧；右N型深阱右部形成有一漏端N型重掺杂区；场氧左部上方及栅氧化层上方形成有栅极多晶硅；场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中形成有漂移P型注入区，漂移P型注入区右部为分段间隔状。本发明还公开了该隔离型NLDMOS器件的制造方法。本发明，能在保证隔离型NLDMOS器件击穿电压不降低的同时使得器件导通电阻降低。

主权项

一种隔离型NLDMOS器件，其特征在于，在P型硅衬底上形成有左N型深阱、右N型深阱两个独立的N型深阱；所述左N型深阱，左部形成有一P阱；所述P阱，左部形成有一P型重掺杂区及一源端N型重掺杂区；所述P阱右部上方及所述左N型深阱右部上方，形成有栅氧化层；所述左N型深阱同所述右N型深阱之间的P型硅衬底上方，及所述右N型深阱左部上方，形成有场氧；所述右N型深阱，右部形成有一漏端N型重掺杂区；所述场氧左部上方及所述栅氧化层上方，形成有栅极多晶硅；所述场氧下方的P型硅衬底及右N型深阱中，形成有漂移P型注入区；所述漂移P型注入区，右部为分段间隔状。