| 发明名称 | 具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底之上形成连接插塞；通过刻蚀所述连接插塞之间的衬底来形成沟槽；形成掩埋栅，以部分地填充所述沟槽；形成间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；形成所述连接插塞的突出部分；以及修整所述连接插塞的突出部分。 | ||
| 申请公布号 | CN102117765B | 申请公布日期 | 2015.05.13 |
| 申请号 | CN201010241063.8 | 申请日期 | 2010.07.30 |
| 申请人 | 海力士半导体有限公司 | 发明人 | 辛锺汉;朴点龙 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8242(2006.01)I;H01L27/108(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 郭放;黄启行 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在衬底之上形成多个连接插塞；通过刻蚀所述多个连接插塞之间的衬底来形成沟槽；形成掩埋栅，以部分地填充所述沟槽；形成间隙填充层，以将所述掩埋栅的上侧面间隙填充；形成所述多个连接插塞的突出部分；以及修整所述多个连接插塞的突出部分，使得形成具有小面积的突出部分和大面积的掩埋部分的连接插塞。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||