等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法

摘要

本发明提供的等离子体掺杂装置及等离子体掺杂方法，有助于基于等离子体掺杂的杂质注入的实用化。用于向半导体基板(W)添加杂质的等离子体掺杂装置(10)具备：腔室(12)；气体供给部(14)，用于向腔室(12)供给气体；及等离子体源(16)，用于在腔室(12)产生所供给的气体的等离子体。包括含有应添加到基板(W)的杂质元素的原料气体、氢气及用于稀释原料气体的稀释气体的混合气体供给至腔室(12)。

主权项

一种等离子体掺杂装置，用于向半导体基板添加杂质，其特征在于，具备：腔室；气体供给部，用于向所述腔室供给气体；及等离子体源，用于在所述腔室产生已供给的气体的等离子体，所述气体供给部构成为将混合气体供给至所述腔室，所述混合气体包含：含有应添加至基板的杂质元素的原料气体；氢气；及用于稀释所述原料气体的稀释气体，应添加至所述基板的杂质元素，通过使用偏置电源在所述基板产生的电位而被加速，并被注入到所述基板，所述氢气相对于所述混合气体的流量比为20％以下，所述混合气体包含稀释为低浓度的所述原料气体、和浓度高于该原料气体的所述氢气，剩余部分实际上为所述稀释气体，所述原料气体相对于所述混合气体的流量比处于0.1％至0.3％的范围。