发明名称 |
热电材料,制造该热电材料的方法,和使用该热电材料的热电变换模块 |
摘要 |
本热电材料设置有:半导体基板,形成在基板上的半导体氧化膜,和布置在氧化膜上的热电层。所述半导体氧化膜设置有第一纳米开口部,所述热电层是这样的形式:多个半导体纳米点堆积在第一纳米开口部上以具有粒子填充结构。多个纳米点中的至少一些在其表面中形成有第二纳米开口部,并且通过第二纳米开口部彼此连接,且其晶体取向彼此对齐。该热电材料可以通过以下步骤生产:氧化半导体基板,借此在其上形成半导体氧化膜的步骤;在氧化膜中形成第一纳米开口部的步骤;和通过外延生长在第一纳米开口部上堆积多个纳米点的步骤。通过该构造能够获得具有极好的热电变换性能的热电材料。 |
申请公布号 |
CN103959496B |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201380003966.4 |
申请日期 |
2013.05.15 |
申请人 |
独立行政法人科学技术振兴机构 |
发明人 |
中村芳明;五十川雅之;上田智广;吉川纯;酒井朗;细野秀雄 |
分类号 |
H01L35/32(2006.01)I;H01L35/14(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/32(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
李新红 |
主权项 |
一种热电材料,其包括:半导体基板;形成在所述半导体基板上的半导体氧化膜;和设置在所述半导体氧化膜上的热电层;其中所述半导体氧化膜在其中形成有第一纳米开口部,所述热电层具有这样的构造:多个半导体纳米点堆积在所述第一纳米开口部上或上方而形成粒子填充结构,和所述多个半导体纳米点中的至少一些具有形成于其表面中的第二纳米开口部,并且通过所述第二纳米开口部彼此连接,其中它们的晶体取向对齐。 |
地址 |
日本埼玉县 |