发明名称 |
多通道砷化镓光电导开关 |
摘要 |
本实用新型提供了多通道砷化镓光电导开关。所述的光电导开关中的绝缘基座上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓,砷化镓与绝缘基座固定连接,相邻的砷化镓之间的间距相等,并在绝缘基座上构成通道,砷化镓的两端齐平,绝缘介质设置在通道中。在砷化镓两端设置合金电极,砷化镓同一端的合金电极相互连接。本实用新型在合适的偏置电场和红外激光触发下,N个砷化镓中将产生M个导电通道(1<M≤N);本实用新型的导通内阻为单通道光电导开关的1/M,可以明显改善光电导开关的导通特性。本实用新型的总发热功率为单通道光电导开关的1/M,每个导电通道的发热功率为单通道光电导开关的1/M<sup>2</sup>,大幅减少光电导开关的发热和热损伤,提高光电导开关的使用寿命。 |
申请公布号 |
CN204332989U |
申请公布日期 |
2015.05.13 |
申请号 |
CN201520001528.0 |
申请日期 |
2015.01.05 |
申请人 |
中国工程物理研究院流体物理研究所 |
发明人 |
刘毅;潘海峰;叶茂;夏连胜;谌怡;王卫;张篁;石金水;章林文;刘云龙 |
分类号 |
H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/09(2006.01)I |
代理机构 |
中国工程物理研究院专利中心 51210 |
代理人 |
翟长明;韩志英 |
主权项 |
一种多通道砷化镓光电导开关,其特征在于:所述的光电导开关包括绝缘基座(1)、高迁移率的砷化镓(2)、绝缘介质(3)、欧姆接触的合金电极(4);其连接关系是,在所述绝缘基座(1)上设置有平行排列的N个长条形的砷化镓(2),砷化镓(2)与绝缘基座(1)固定连接,相邻的砷化镓(2)之间的间距相等,相邻的砷化镓(2)之间在绝缘基座(1)上构成通道,砷化镓(2)的两端齐平,所述的绝缘介质(3)设置在通道中;在每个长条形的砷化镓(2)两端设置欧姆接触的合金电极(4),砷化镓(2)同一端的合金电极相互连接。 |
地址 |
621999 四川省绵阳市919信箱106分箱 |